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Schmid:整线解决方案可达多晶18%和单晶20%的效率目标

2013-8-9 14:14| 发布者: apple| 查看: 508| 评论: 0|来自: PV-Tech

摘要: 日前,中国政府发布了《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》(以下简称《意见》),《意见》中对产品及技术的要求被业内大部分企业称为“高准入门槛”,它明确规定新上光伏制造项目应满足单晶硅光伏电池转 ...
  日前,中国政府发布了《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》(以下简称《意见》),《意见》中对产品及技术的要求被业内大部分企业称为“高准入门槛”,它明确规定新上光伏制造项目应满足单晶硅光伏电池转换效率不低于20%、多晶硅光伏电池转换效率不低于18%等要求,这一要求无疑将引发新一轮的太阳能电池技术创新与设备改进。

  作为致力于以先进研发实力制造设备的Schmid集团在此背景下参照了电池生产商的最新市场需求发展技术。随着5500系列APCVD传动式工艺炉的开发,一套为工业化量产高效率电池的成熟系统已经为一些特定应用领域准备就绪,特别是半导体行业的掺杂玻璃。

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  Schmid集团光伏事业部副总裁ChristianBuchner娀士,认为Schmid集团的准确定位满足了来自中国客户的最新需求。“我们认真查阅了中国政府关于太阳能发展的建议后再次有信心相信在短期和中期内,只有一直在投资新技术设备,才可能生产效率超过20%的高品质电池,才能在市场上获得最终生存。我们的整线解决方案保证多晶18%和单晶20%的效率。投资已经就绪,但只有在高效技术的支持下,才能确保以上电池生产的高效率。”

  APCVD是成功生产PERC电池的因素

  据介绍,关于PERC生产工艺,Schmid是唯一可单独提供所有制程的设备供应商。Schmid倀ERC工艺包括背面清洗,APCVD镀膜和背面镀膜面激光开槽。所有设备可以简单集成到客户已有生产线,并提供市场上最低的制造成本。

  根据计算,Schmid集团应用于钝化膜和覆盖膜的APCVD技术,成本比ALD和PECVD工艺低40-50%。PERC电池由晶体硅组成。对于背面的钝化,Schmid采用APCVD在硅片上镀制氧化铝层;背面有两层覆盖膜同样通过APCVD技术制备。取决于不同的硅片质量,采用Schmid工艺技术,可获得平均效率在20%-20.5%的Cz单晶硅PERC电池和18-18.5%的多晶硅PERC电池。



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