Solar Frontier旗下CIS薄膜效率达19.7%

2013-1-9 15:59| 发布者: apple| 查看: 451| 评论: 0|原作者: apple|来自: PV-Tech

摘要: Solar Frontier日前通过启用溅射和硒化工艺，使CIS薄膜太阳能电池转换效率破纪录。目前采用共蒸发工艺的CIS效率破纪录，达20.3%。日本先进工业科技研究所(AIST)证实的18.6%的转换效率记录已经维持了十年。然而 ...

   Solar Frontier日前通过启用溅射和硒化工艺，使CIS薄膜太阳能电池转换效率破纪录。目前采用共蒸发工艺的CIS效率破纪录，达20.3%。

   日本先进工业科技研究所(AIST)证实的18.6%的转换效率记录已经维持了十年。然而，Solar Frontier在与日本新能源和工业技术发展机构(NEDO)的合作中，推动效率创下19.7%的记录，这一结果是通过从一块30cm x 30cm的基板切取约为0.5平方厘米而进行太阳能电池测定得出。

   Solar Frontier首席技术官Satoru Kuriyagawa表示：“能量转换效率方面这一新的成就显示出Solar Frontier的高水平技术及CIS技术具有巨大潜力。目前Solar Frontier的CIS薄膜组件在实际发电方面因其高性能而备受赞誉，由于他们不易受阴影或高温的影响。目前，通过使用这一新型基础技术，可以获得更高的实际性能。我们将继续致力于进一步加强我们的技术能力，旨在为薄膜太阳能电池创造一项新的世界纪录。”

   Solar Frontier目前正在位于日本国富的工厂生产CIS薄膜太阳能组件，其转换效率在13%左右。该公司尚未公布此项开发工艺投产的条件与时间。

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