6英寸单晶硅棒技术参数

prince

单晶制备方法          CZ
导电类型              P
掺杂剂                Borom(B)
晶向                  <100>
晶向偏离度            <±3°
电阻率范围（ρ）       0.5-2Ω.cm或3-6Ω.cm
少数载流子寿命（τd）  >1μS
氧含量（Oi）         ≤1.0*1018/cm3
碳含量（C）          ≤5.0*1016/cm3
位错密度             ≤3000/cm3
外观                 无裂纹，无孪晶
直径                 6",8"

温校控制器原理
   
（A）        比例增益PN：
PN=温校变化量/拉速信号偏差
（B）        积分增益IN：
在控制周期内对拉速偏差值进行累加，当累加值大于标定值时，控制输出定义的变化量。IN越大，积分作用越大，反之亦然。
（C）        正偏差K+：
K+：为正偏差控制阀值。
（D）        负偏差K-：
K-：为负偏差控制阀值。
（E）        超前增益MP：
类同MD。
（F）        调节周期TI：
直径控制器每隔一个调节周期时间，对控制输出值进行一次调整
直径控制器原理,
         
PN=温校变化量/拉速信号偏差
（B）        积分增益IN：
在控制周期内对拉速偏差值进行累加，当累加值大于标定值时，控制输出定义的变化量。IN越大，积分作用越大，反之亦然。
（C）        正偏差K+：
K+：为正偏差控制阀值。
（D）        负偏差K-：
K-：为负偏差控制阀值。
（E）        超前增益MP：
类同MD。
（F）        调节周期TI：
直径控制器每隔一个调节周期时间，对控制输出值进行一次调整。
（A）        比例增益PN：
PN=温校变化量/拉速信号偏差
（B）        积分增益IN：
在控制周期内对拉速偏差值进行累加，当累加值大于标定值时，控制输出定义的变化量。IN越大，积分作用越大，反之亦然。
（C）        正偏差K+：
K+：为正偏差控制阀值。
（D）        负偏差K-：
K-：为负偏差控制阀值。
（E）        超前增益MP：
类同MD。
（F）        调节周期TI：
直径控制器每隔一个调节周期时间，对控制输出值进行一次调整。