高效单晶电池工艺之六

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改善衬底材料
       制备高效太阳电池首要就是选择高质量的硅片作衬底，如一些实验室制作的高效电池都是采用FZ硅。但是这种硅片成本很高，不宜于大规模生产。高效太阳电池的发展方向之一就是要将低硅片的成本。直拉单晶硅材料虽然成本较低，但是用硼掺杂的p型硅片制作的电池效率却较低，并且在光照甚至在黑暗中储藏时性能也会不断降低。产生性能退化的最根本原因是该材料中氧含量较高，在光照的情况下会和掺杂的硼发生反应。因此解决性能退化的有效办法是避免大量的氧原子和硼原子同时在硅片里存在。
       现在有两种重要的途径：一是利用磁聚焦直拉法生产单晶硅，在这种MCZ（B）硅材料中氧含量较低；另一种方法是采用其它掺杂源替代硼在硅材料中进行掺杂，如镓。用这两种硅材料制作的电池性能比CZ(B)都有较大的改善。
       n型硅材料也是一种很好的选择，具有一些特定的优点，如载流子寿命长、制结后硼氧反应小、电导率好、饱和电流低等。国外一些厂家已经用n型硅生产出高效太阳电池。在太阳电池迅速发展和p型单晶硅材料日益紧张的情况下，相信这种材料会很快得到广泛应用。