单晶电池制造流程

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单晶电池制造流程
一,硅片清洗(制绒)
     去除硅片表面损伤层是太阳电池制造的第一道工序,其目的主要通过化学腐蚀,去除硅片表面的机械切痕与损伤,同时还可以制作绒面表面构造,从而减少光反射.一般用NAOH腐蚀硅片效果较好.P型硅片每面腐蚀深度可达5-------10um.反应化学方程式为:
      SI+NAOH+H2O--------Na2SiO3+H2.
二,扩散制结.
     扩散一般用POCL3液态源作为扩散源.扩散设备可用横向石英管或链式扩散炉,进行磷扩散形成N型层.扩散的最高温度可过850---900摄氏度.这种方法制出的结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms.化学方程式式为:
      POCL3+O2---------P2O5+CL2,         P2O5+Si--------SiO2+P.
三,等离子边缘腐蚀(刻蚀)
      扩散过程中,在硅片的周边表面也形成扩散层,使电池短路,必须除去.利用辉光放电中氟离子与硅片反应,产生挥发性的产物SIF4,可达到边缘腐蚀的目的.化学方程式
   CF4+O2+Si----------SIF4+CO2.
四,去磷硅玻璃.
       用化学方法去除扩散层SIO2与HF生成可溶于水的SIF,从而使硅表面的磷硅玻璃溶解,化学方程式.
      SiO2+HF---------H2(SiF6)+H2O.
五,减反射腊的制备(PECVD)
       PECVD简称为等离子体增强化学气相沉积.   就是采用等离子体增强化学气相沉积技术在电池表面沉积一屋SINX减反射膜,其作用有:减少光反射,又能起到很好的表面钝化和体钝化的作用从而提高电池的短路电流与开路电压.
六,表面金属化(丝网印刷)
      现在较为采用的是丝网印刷法,就是通过特殊的印刷机和模板将银浆,铝浆印刷在太阳电池的正背面,以形成正负电极的引线,再经过低温烘烤,高温烧结,最终形成太阳电池.其中电池的正面电极呈梳子状是为了有较高的光的透过性,又要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻.
七,分离检测.
      电极印刷后到高温烧结后,整个太阳电池制作过程也就完成了,在太阳光下将太阳电池正负电极用导线上,就有电流通过了.为了保证产品质量的一致性,通常要对每个电池测试,并按电流和功率大小进行分类,可根据电池效率每0.4或0.5分级包装.