串联并联电阻

光谷子

图中RS即为串联电阻：包括电池的体电阻、表面电阻、电极电阻、电极与硅表接触电阻等

Rsh为旁漏电阻即为并联电阻，为硅片边缘不清洁及内部缺陷引起

RS很小，Rsh很大 理想情况下可以忽略，Ish很小

串并联电阻对填充因子（FF）影响很大，串联电阻Rs越高，填充电流下降越多，填充因子减少的越多，并联电阻减少的越多效果相同。