ASTM美国材料协会关于多晶体检测的文献

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ASTM美国材料协会关于多晶体检测的文献

工作资料 2008-07-31 11:02:34 阅读529 评论4
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F26-87a(1999)	测定半导体单晶体取向的方法
F28-91(1997)	光电导衰减测量法测定大块锗和硅中少数载流子寿命的方法
F42-93(1997)	掺杂半导体材料导电类型试验方法
F43-99	半导体材料电阻率试验方法
F76-86(2002)	测量单晶半导体的电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率的试验方法
F81-01	硅片径向电阻率变化测量的试验方法
F84-99	用在线四探针法测量硅片电阻率的试验方法
F95-89(2000)	用红外线反射法测定同类基质上硅的外延层厚度的试验方法
F110-00a	用磨角和染色技术测定硅材料外延层或扩散层厚度的试验方法
F154-02	镜状硅表面上结构与沾污的目视识别的实施及其名称表
F374-00a	用共线四探针列阵法测定硅外延层,扩散层和离子注入层的薄膜电阻的测试方法
F391-96	通过测量稳态硅表面光致电压确定非本征半导体中少数载流子的扩散长度的试验方法
F397-93(1999)	用二探针法对硅棒的电阻率的试验方法
F398-92(1997)	通过测量等离子体共振的最小波长对半导体材料中多数载流子浓度的试验方法
F525-00a	用分布阻抗探头测量硅片电阻率的方法
F533-02	硅片的厚度及厚度变化的试验方法
F534-02	硅片的弯曲试验方法
F576-01	椭圆法测量硅衬底上绝缘层厚度及折射率的试验方法
F657-92(1999)	用无接触扫描法测量硅片的弯曲度及总厚度变化试验方法
F671-99	硅晶片及其他电子材料的平面长度测量方法
F672-01	用分布电阻探头测量硅晶片垂直于纵断面表面的电阻率的方法
F673-90(1996)e1	用无触点涡流计测量半导体单片电阻率或半导体膜片电阻率的方法
F674-92(1999)	分布电阻测量用硅的制备
F723-99	掺硼和掺磷杂质硅片的电阻率与掺杂密度的换算
F847-94(1999)	用X射线技术测量单晶硅薄片和切片平面上结晶方向的测试方法
F950-98	用角抛光和疵点侵蚀加工法测量机械加工硅片表面晶体损坏深度的试验方法
F951-02	测量硅片径向晶隙氧变化的试验方法
F1049-00	探测硅片表面浅蚀坑的测试方法
F1152-02	硅片刻槽尺寸的测试方法
F1188-00	红外线吸收时硅中填隙原子氧含量的测试方法
F1239-02	间隙氧还原测量时硅晶片氧沉淀特性的测试方法
F1366-92(1997)e1	用次级离子质谱仪测量重掺杂硅基底中氧含量的测试方法
F1389-00	III-V号混杂物中对单晶体硅的光致发光分析的测试方法
F1390-97	自动非接触式扫描法测量硅晶片翅曲度的试验方法
F1391-93(2000)	红外线吸收时硅的置换原子碳含量的测试方法
F1526-95(2000)	使用全反射X射线荧光光谱法测量硅片金属表面污染(杂质)的曜际匝榉椒?,
F1527-02	应用硅标准参考物质和标准硅片标准和控制硅电阻率测量仪表的标准导则
F1528-94(1999)	用次级离子质谱法测量重掺杂N型硅基质中硼杂质的标准试验方法
F1530-94	用自动无触点扫描法测量硅片平整度、厚度和厚度变化的标准试验方法
F1617-98	用次级离子质谱法(SIMS)测量硅和EPI基片上表面钠、铝、钾的标准试验方法
F1618-02	测定硅片薄膜均匀性的标准规程
F1630-00	单晶硅III-V杂质的低温傅里叶变换-红外分析的标准试验方法
F1708-02	使用熔炉-区域提纯器光谱仪评定粒状多晶硅的标准规程
F1723-02	用浮区晶体增长和光谱法评估多晶硅竿材的标准规程
F1724-01	用酸性萃取原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属杂质的标准试验方法
F1725-97	硅结晶的结晶学性能分析指南
F1726-97	硅晶片的结晶学性能分析指南
F1727-97	抛光硅晶片中氧化疵点检测的标准惯例
F1809-97	硅光滑结构缺陷用浸蚀溶液的选择与使用标准导则
F1810-97	择优统计硅片侵蚀或表面缺陷的标准试验方法
F1982-99e1	热解吸气相色谱分析硅晶片表面的有机杂质的试验方法
F2139-01	用二级离子质谱法测量硅衬底中氮浓度试验方法