料浆的配制及线切割常见线痕

光谷子

料浆的配制及线切割常见线痕

随着光伏产业的迅猛发展，在光伏产业上游硅片制备成为重要环节。从拉制晶棒、切段、切方（抛錠）对硅料消耗都很低，唯独在切割中造成的消耗最大，为降低切割消耗各公司都在辅料、沙浆配制等环节做出了较多的选择和对比，各公司认为切割的好坏和料浆有很大的关系。

一、我个人结合碳化硅微粉的固有特性，谈一下料浆的配制：

1.微粉在包装、运输、存放过程中挤压团结；这要求工人在配制沙浆倒料过程中要特别注意：倒料时应慢倒，控制在2.5-3分钟一袋，避免猛倒造成微粉沉底结块搅拌不起来,造成的与实际配比不一致，而影响切割。

2.碳化硅微粉具有较强吸水性，在空气中极容易受潮团结。团结后、分散性降低，使料浆的粘度降低；也会在料浆中形成假性颗粒物和团积物，应避免微粉裸漏在空气中时间过长。

3.倒料时要求操作工：①检查料袋有无破损，如有一定要单独存放不要再投；②投料前先把袋口、袋子表面的浮沙打掉，避免倒料带入杂物。

4.烘砂的好处：①增强了碳化硅微粉分子活性；②与切削液有了更强的适配性；③粉体颗粒吸附性更强，使钢线带砂浆量增大，增强切削能力；④微粉有了更好的流动性和分散性，减少团结。

沙浆在配制过程出现了许多的人为因素，很多参数因人为而改变。如果改为自动投料，减少人为因素效果会更好。最好，把碳化硅微粉在80—90度烘箱里，烘8小时以上，来优化碳化硅微粉的各项指标。

二、切割过程中会出现很多的问题，硅片表面线痕行业内认为有几十种原因，我把大家经常认为是碳化硅微粉造成的几点和大家探讨一下：

1.硅片表面出现单一的一条阴刻线（凹槽）、一条阳刻线（凸出），并不是由于碳化硅微粉的大颗粒造成的，单晶硅、多晶硅在拉制过程中出现的硬质点造成跳线，而形成的线痕；

2.硅片表面集中在同一位置的线痕，很乱且不规则；①机械原因、②导轮心震过大、③多晶硅铸锭的大块硬质晶体；

3.硅片切割第一刀出现线痕，硅片表面很多并不太清晰：①沙浆粘度不够、碳化硅微粉粘浮钢线少、切削能力不够，②碳化硅微粉有大颗粒物，③钢线圆度不够、带沙量降低，④钢线的张力太小产生的位移划错，⑤钢线的张力太大、线弓太小料浆带不过去，⑥打沙浆的量不够，⑦线速过高、带沙浆能力降低，⑧沙、液比例不合适，⑨热应力线膨胀系数太大，⑩各参数适配性差。

4.切割中集中在某一段的废片，是由于跳线引起的；跳线的原因：①导轮使用时间太长、严重磨损引起的跳线（导轮使用次数一般为75-85次），②沙浆的杂质进入线槽引起的跳线。

5.常见阴刻线线痕，由于晶棒本身有生成气孔，切割硅片后可见像硅表面一样亮的阴刻线，并不是线痕。

6.常见线痕：①进刀口：由于刚开始切割，钢线处在不稳定状态，钢线的波动产生的线痕（进线点质硬，加垫层可消除线摆）；②倒角处的线痕：由于在粘结硅棒时底部残留有胶，到倒角处钢线带胶切割引起的线痕，③硅棒后面的线痕：钢线磨损、造成光洁度、圆度都不够，带沙量低、切削能力下降、线膨胀系数增大引起的线痕。

7.掉棒原因：①胶水配比有问题，②硅棒与玻璃粘接面有油污，③胶水涂抹后固化的时间掌握的不太合适，④沙浆的流量不够（线切张力太大、线速过高）,⑤胶水的质量有问题。

微粉在切割过程中一直处在阴面，出问题大家很快会想到是微粉，其实微粉在切割过程中很少出问题，除非是厂家的质量本身有问题；过多的问题集中于配浆环节，搅拌是否充分，有无沉淀，有无杂质落入等都和操作工人有关。

随着碳化硅微粉生产工艺的不断改进，切割性能也在不断的提高，微粉已经形成了完整适合线切要求的生产工艺。
个人观点，仅供参考，如有不到之处，敬请谅解。

xiaohe2008

有没有图片看看啊~！理解深刻点啊。