各种单晶炉介绍

xiaohe2008

CZ-3000型 硅单晶炉

CZ-3000型单晶炉,是在惰性气体环境中,用石墨加热器将多晶硅材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。

CZ-3000型单晶炉可生产太阳能级、二极管级和大规模集成电路所需要的高质量单晶。用这种单晶炉能使用12寸的石英坩埚投料20kg,拉制4寸或5寸的单晶，最大裕度可允许使用14寸的石英坩埚，投料30kg拉制6寸的单晶。

* 主要技术参数 *
1.电源:	三相 50Hz 380 V±10%
2.变压器容量:	160 KVA
3.加热器最大加热功率:	120 Kw
4.加热器最大电压:	70 V
5.晶体直径(最大):	φ6″(φ150)
6.熔料量(最大):	30 Kg
7.冷炉极限真空度:	≤3 Pa
8.主炉室尺寸:	φ620×1063 （炉筒、炉盖延伸部分总计）
9.隔离阀孔径:	φ200
10.副炉室尺寸	φ200×1325
11.籽晶在炉内有效行程:	＞3000
拉速范围	0.1-10 mm/min
12.籽晶在副室内有效行程:	1100
13.坩埚杆在炉内有效行程:	370
升速范围	0.02-2.5 mm/min
014.主机最大高度:	4832