关于多晶扩散工艺的低磷高温方案，对于炉内电池片方阻均匀性改善的问题？

ai503317213 · 发表于 2012-10-20 10:22:06

企业最开初用的小N流量和其他气体流量均比较大，每炉生产400片；时常出现炉口部位硅片与其他部位硅片的方阻差异很大，如规定66方阻，炉尾炉中可能64~69，但是炉口确高达74；我们尝试过调解温度、抽风均没有实质效果。
后将所有工艺步骤气体比例均降低一半，经过调解温度，可以生产500片，但是炉口部位方阻变化反而没有以往差异大，求各位专家的指导。

jayjay1223 · 发表于 2012-10-22 14:47:02

。。。。。。。。。。RT同求

ztzxd · 发表于 2012-11-2 10:24:57

扩散问题还是比较多的

wokaoman · 发表于 2012-11-2 16:51:10

看你用国产的还是进口的了，用tempress吧

lafel · 发表于 2012-11-8 11:38:08

等比例增加气体流量和减少气体流量分组比对。

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[技术交流] 关于多晶扩散工艺的低磷高温方案，对于炉内电池片方阻均匀性改善的问题？