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[技术分享] 磷吸杂工艺研究

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发表于 2011-11-4 18:43:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
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磷吸杂在晶体管芯片制造过程中对改善芯片表面态、减少漏电流等起着重要作用。文中确定了方块电阻为6-8Ω/□(欧姆/方块)的磷吸杂工艺条件,并对过程的相关影响因素进行分析和探讨,同时提出了解决方法。

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磷吸杂工艺研究.pdf

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