多晶硅材料的标准（中英文都有）

bxxu0108

A、太阳能级多晶硅料

技术要求：

总体要求：硅含量99.9999%
含硼量：<0.20ppba
含磷量：<0.90ppba
含碳量：<1.00ppba
金属含量：<30.00ppba
金属表面含量：<30.00ppba
尺寸大小要求：25mm---250mm
多晶种类：P型
电阻率：>0.50Ohmcm
B、破碎半导体级硅片

技术要求：

半导体级碎硅片
片子形状为圆弧形碎片
硅片厚度>=400um
型号为P型
电阻率：>0.50Ohmcm
C、小多晶硅

技术要求

1. 型号为N型，电阻率大于50ohmcn,碳含量小于5*1016/cm3,氟含量小于 5*1017/cm3

2. 块状为4mm

3. 不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料

D、直拉多晶硅

技术要求

1.磷检为N型，电阻率大于100ohmcm, 硼检为P型，电阻率大于1000ohmcm.少娄载流子寿命大100um，碳含量小于1016cm3,氧含量小于1017 cm3

2. 块状小于30mm

3. 不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料

E、区熔头尾料

技术要求

1. N型，电阻率大于50chmom 少数载流子寿命大于100μm

2. 块状大于 30mm

3. 区熔头尾料不能有气泡，不能有与线圈接触所造成的沾污，更不能有区熔过程的流硅或不熔物。

4. 最好为免洗料

F、直拉头尾料（IC料），最好为免洗料

1. N型，电阻率大于10ohmom

2. P型，电阻率大于 0.5ohmom

3. 块状大于30mm，片厚大于0.5mm

4. 直拉头尾料不能气泡，更不能有不熔物





A、Solar energy gear polysilion

Description

1. Base description :silicon deped is 99.9999%

2. Boron doped :<0.20ppba

3. P.phospherus doped:0.90ppba

4. Carbon doped:1.00ppba

5. Metal doped:<30.00ppba

6. Metal surfce doped:<30.00ppba

7. Length :25-250mm

8. Type:p-type

9. Resistivity:>0.50ohmcm

B、Break semiconducter silicom wafer

Description

1. Base description :break senivonductor silicon wafer

2. Shape:arc

3. Thickness:>=400um

4. Type-type

5. Resisfivity:>0.50ohmcn

C、Minor Polysilicon

Description

1. Type:n-type

2. Resisfivity:50 ohmcn

3. Carbon iloped:<5*1016/m3

4. Fluorin doped:<5*1017/m3

5. Shape:block

6. Length:>4mm

7. Washing-free is the better with no oxide and infusible substance

F、IC materid

1. Washing-free is the better

2. N-type resitivity>10ohcm

3. P-type resitivity>0.5ohcm

4. Shape:block

5. Length:>30mm

6. Thickness:>0.5mm

7. With no infusible subsface and air bubbk