晶体硅太阳电池串联内阻的函数形式

zhangcunbiao

晶体硅太阳电池串联内阻的函数形式
程晓舫1 ， 李 坚1 ，余世杰2 ( I .中国科学技术大学热科学和能源工程系，合肥2 3 0 0 2 7 ;  2 .合肥工业大学能源研究所，合肥2 3 0 0 0 9 )
摘 要:在已知的四种电阻函数形式中，通过理论推导并结合晶体硅太阳电池功率随着温度上升而下降的实验事实，
理论证明晶体硅太阳电池串联内阻具有正温度系数半导体型电阻的数学表述形式。利用该数学形式对实测内阻数据进
行拟合， 结果令人满意。
关扭词:晶体硅太阳电池;串联内阻;函数形式
中圈分类号: T K 5 1 3 文献标识码:A
0 引 言
    作为一种新能源，晶体硅太阳电池已经得到应
用〔 ‘ ] ， 并且必将越来越普及。
    传统意义上的电池在有内阻的情况下， 最大电
功率的获得条件与电池内阻相关。太阳电池最大功
率的获得条件也与内阻有关， 但太阳电池的工作受
1 晶体硅太阳电池基本方程[
    晶体硅太阳电池电路电流方程，
I=m o一I o ( e x 一1 )
其中x为晶体硅太阳电池参数， 数学表述
            g I ( R L +R s ) 八k T