关于系统层面PID的产生原因简析

keenchan · 发表于 2013-4-27 09:28:49

之前在论坛里面提到过"光伏系统层面阵列负极接地防PID技术文档参考文献"
http://bbs.21spv.com/forum.php?m ... 0&fromuid=13702

里面的文章对目前系统层面防pid技术有较为详细的阐述;

对于系统层面,晶硅组件 PID是如何产生的,下面我就根据文献自己画了张图进行解释:

希望对大家有所帮助, 如有其它不同想法,欢迎跟帖!!!

csjsky · 发表于 2013-5-3 11:14:14

没这么看懂啊

SeulLoup · 发表于 2013-5-5 13:18:46

本质上，是因为光伏系统中，保护接地及工作接地未能同时进行。正常情况下，系统中组件边框一定会进行保护接地的，而在使用非隔离逆变器是，由于逆变器的缘故，系统不能进行中性点工作接地，导致组件串负极相对于边框（地）存在负压，导致内部离子迁移，电池片缺陷中心增多。

keenchan · 发表于 2013-5-6 21:43:23

SeulLoup 发表于 2013-5-5 13:18
本质上，是因为光伏系统中，保护接地及工作接地未能同时进行。正常情况下，系统中组件边框一定会进行保护接 ...

恩,解释的很对

ilunar · 发表于 2013-5-9 20:51:50

SeulLoup 发表于 2013-5-5 13:18
本质上，是因为光伏系统中，保护接地及工作接地未能同时进行。正常情况下，系统中组件边框一定会进行保护接 ...

涉及到一些电化学的知识啊，不太懂。
另外，要从系统层面上避免PID，直流侧负极接地就是了。但是我所看到的项目里，直流侧负极没有接地的。甚至大型电站还有防直流接地报警装置。搞不懂

SeulLoup · 发表于 2013-5-17 17:46:23

ilunar 发表于 2013-5-9 20:51
涉及到一些电化学的知识啊，不太懂。
另外，要从系统层面上避免PID，直流侧负极接地就是了。但是我所看到 ...

是的，但是TL（transformer less，无隔离变压器）逆变器的效率很高，所以欧洲及亚洲地区是主流的选择，而TL逆变器不允许直接接地

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