CdTe太阳电池主要工艺流程

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制备工艺
    cdte太阳电池属异质结结构，成本相对低廉，易实现规模化生产，常用cds作为窗口层材料。
    cdte太阳电池主要工艺流程如下：
    (1)cds、cdte薄膜的沉积。制备cds、cdte薄膜的方法有很多种，包括近空间升华法、元素气相化合法、化学喷射法、电镀沉积法、丝网印刷法、金属有机物化学气相沉积、物理气相沉积、溅射法和分子束外延(mbe)等。其中近空间升华法是最常用的制备方法，采用简单的近空间升华法就能制备出均匀的、化学计量比可控的cdte薄膜，而且转换效率高。
    1)近空间升华(css)法。将基板置于源上方距离不远处，通过源的升华和随后气体在基板上的沉积，制备出包含不同挥发性成分电子材料的晶体或是薄膜。与其他工艺相比，近空间升华工艺具有高沉积速率(最高达到10μm／min)。
    2)元素气相化合法。将气相cd、te2输运到热衬底上沉积生长cdte，常用的输运气体是h2和he，膜的沉积速率取决于cd、te2的分压和衬底温度。
    3)丝网印刷法。通过丝网在衬底上涂敷cds、cd和te的混合物及助溶剂、阻碍剂等烧结后，再结晶或反应生成薄膜。
    4)喷涂热分解法。在衬底上喷涂te盐和cd盐的水溶液或cdte喷浆，反应生成cdte薄膜。
    (2)热处理。热处理有以下两种。
    1)cds的热处理。为了提高cds窗口层的透过率，降低缺陷态密度及调整费米能级，通常在沉积cdte前，先对cds薄膜进行热处理，热处理方式为氢气氛下退火或在cds膜上涂敷cdcl2甲醇溶液，烘干后氮气氛中退火。
    2)cdte薄膜的热处理。沉积cdte薄膜后，需经过cdcl2热处理工艺，即在cdte膜上涂敷cdcl2甲醇溶液并烘干，在400℃含氧气氛中退火30～60min，用去离子水清洗掉膜面的cdcl2残留物。
(3)背电极制作。
制备背电极的常用方法有以下两种。
    1)在cdte薄膜上制备重掺杂过渡层，使过渡层和金属之间的肖特基势垒区足够薄，隧道电流成为电荷输运的主要形式，从而获得良好的欧姆接触。
    2)用强氧化剂刻蚀cdte膜面，获得富碲区后，涂敷含金属盐的电极膏，一定温度下烧结，使电极金属和富碲膜面形成碲化物，得到重掺杂的过渡层。
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