单晶硅烧结后填充因子低

ourisour · 发表于 2008-9-27 01:18:00

各位朋友S125单晶硅烧结后填他、充因子低是什么原因、导致的?
如过片原教烂会出现这种情况吗?

ourisour · 发表于 2008-9-27 01:19:04

各位朋友S125单晶硅烧结后填充因子低是什么原因导致的?
如过片原教烂会出现这种情况吗?

Aaron · 发表于 2008-12-17 09:53:07

“如过片原教烂”？这句话怎么理解？

jamescrazy · 发表于 2010-11-9 12:21:53

是如果片源较烂吧。应该和扩散，烧结有关

barton2004 · 发表于 2010-12-21 09:30:28

表面微观状况也有一定的影响.

solarpower · 发表于 2011-3-22 16:07:32

可能会出现。。

zyn-nku · 发表于 2012-5-3 10:09:41

估计烧结没做好，电池的串联电阻较大，造成填充因子地

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[技术交流] 单晶硅烧结后填充因子低