多晶电池片制绒上下表面速率为什么不一样？

秋风‰幻想 · 发表于 2012-4-11 20:52:38

jay77_0_0 · 发表于 2012-4-20 14:57:58

LZ，你的意思是不是硅片上下表面反应速率不一样嘛，你是怎么发现的呢？表面反应速率又是以神马来表征的呢？腐蚀量？分别测量上下的腐蚀量很难做到把？测量绒面坑的大小，也只能定量的看，你的问题问的比较模糊，没法回答你啊。一般情况下上下表面应该差异不大，可能引起的原因有药液浓度不一致或者反应温度的不均匀等。

秋风‰幻想 · 发表于 2012-5-9 13:38:34

jay77_0_0 发表于 2012-4-20 14:57
LZ，你的意思是不是硅片上下表面反应速率不一样嘛，你是怎么发现的呢？表面反应速率又是以神马来表征的呢？ ...

我是观察电池片上下表面的暗亮程度发现下表面即制绒好一点的面的反应速率较大。

菓唲彵夿 · 发表于 2012-6-6 16:39:32

原因为：向下的那一面由于反应过程中产生的气体不能顺畅脱离硅片表面

秋风‰幻想 · 发表于 2012-6-7 17:21:49

谢谢{:soso_e100:}

wokaoman · 发表于 2012-11-2 16:53:38

4楼正解，反应过程中形成的气体阻碍了反应的进行导致上下表面反应速率不一样

帐号		自动登录	找回密码
密码			立即注册

[技术交流] 多晶电池片制绒上下表面速率为什么不一样？