多晶硅锭性能指标

zhixiashan · 发表于 2008-7-13 21:00:28

可用于晶体硅太阳电池片的多晶硅锭的物理性能要达到那些指标？

zhixiashan · 发表于 2008-7-23 21:12:33

真的没人知道吗？遗憾。。。。

zhixiashan · 发表于 2008-7-26 11:28:06

怎么死气沉沉，没有任何反应，哎。。。。

heudjh · 发表于 2008-9-7 11:06:30

不知道晶粒度对硅片电学性能有无影响。好像比较重要的一项是少子寿命。

barton2004 · 发表于 2010-12-29 17:05:27

不知道这个能不能帮你?
P型多晶硅（掺杂硼）主要技术指标
项目指标
Resistivity    电阻率 0.5-3（Ω•cm）
Oxygen content  含氧量 ≤8×1017（atoms/cm3）
Carbon content  含碳量 ≤8×1017（atoms/cm3）
Life time寿命（少数载流子） ≥2（µS）
Dislocation Density位错密度 ≤3000（pos/cm3）
Thickness厚度 200um；180um；170um
TTV <15um

mornred · 发表于 2011-7-16 09:33:33

到各大厂的网站下载

zhengyangxun · 发表于 2011-9-5 12:26:06

其实所谓的指标就是在硅锭开方后品质部检测时所使用的标准。

barton2004 · 发表于 2011-11-29 11:51:47

{:soso_e100:}
现在很多指标都要求严了！！！

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[技术交流] 多晶硅锭性能指标

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