多晶电池片在刻蚀去PSG后，背面边缘部分发黄是什么原因？

ztjy2008 · 发表于 2011-6-24 09:18:55

118003016 · 发表于 2011-6-29 02:01:37

可能有药液残留

chengxinshijin · 发表于 2011-7-9 22:01:43

你可以测试下漂洗槽的PH值

qiuyucsx · 发表于 2011-8-10 21:09:54

可能是碱的问题

zhaoff2005 · 发表于 2011-8-26 08:37:14

可能是酸残留。

xyd0209 · 发表于 2011-9-14 09:30:33

很可能是去PSG时未清洗干净，硅片上有残留药液，看看最后的水洗槽是不是出问题了……

Mr__Chen · 发表于 2011-12-27 11:10:18

多孔硅？？？？？？？？

/:Z拯救 · 发表于 2012-5-21 00:04:02

磷硅玻璃不是多孔硅

菓唲彵夿 · 发表于 2012-6-6 16:43:44

主要原因为扩散后，背面周边有一层磷硅玻璃，影响反应速度！

permanentlich · 发表于 2012-6-14 11:53:34

片子上肯定有酸残留！

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[技术交流] 多晶电池片在刻蚀去PSG后，背面边缘部分发黄是什么原因？