多晶硅的技术要求

强强

1.1.1　棒状、块状硅

太阳能级棒状、块状多晶硅的纯度及相关技术要求应符合表1的规定。

表1

项目	太阳能级硅多晶等级
	1级品	2级品	3级品
N型电阻率，Ω·cm	≥50	≥15	≥10
P型电阻率，Ω·cm	≥500	≥10	≥10
氧浓度，at/cm3	≤1.0×1017	≤1.0×1017	≤1.0×1017
碳浓度，at/cm3	≤2.5×1016	≤5.0×1016	≤5.0×1016
N型少数载流子寿命，μs	≥100	≥50	≥10
基体金属杂质，ppmw	Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al， TMI≤0.05	Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al， TMI≤0.5	Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al，TMI≤0.5

1.1.2　粉状多晶硅

粉状多晶硅的纯度及相关技术要求应符合表2的规定。

表2

项目	太阳能级硅多晶等级
	1级品	2级品
P含量，ppma	≤0.0017	≤0.006
B含量，ppma	≤0.0005	≤0.027
氧浓度，at/cm3	≤1.0×1017	≤1.0×1017
碳浓度，at/cm3	≤2.5×1016	≤5.0×1016
基体金属杂质，ppmw	Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al， TMI≤0.05	Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al， TMI≤0.5

1.1.3　碳头料

碳头料中的碳去除干净，可以用作太阳能铸锭和拉棒。其技术要求同表1太阳能级块状和棒状多晶硅纯度要求中的2级品。

guwei0227

了解一下。。