太阳能级硅粉在等离子体中纯化研究

zhangcunbiao

太阳能级硅粉在等离子体中纯化研究
陈政强  ， 王敬义  ， 陶甫廷
( 1 ． 广西工学院 电子信息与控制工程系， 广西 柳州  5 4 5 0 0 6 ； 2 ．华中科技大学 电子科学与技术系， 湖北 武汉 4 3 0 0 7 4 )  
摘  要 ： 给 出了本研究 中所采用工业硅的要求和太 阳电池功 率高达 1 4   的 P型硅材料中单一杂质的阀值 。 针对太 阳
能级硅 的纯化要求和工业硅 的特性 ， 提出 了等离子体对硅粒“ 刻蚀提纯” 的新概念 。增 加鞘层厚度将使硅 粉浸泡于高
动能离子中的几 率增 加 ， 钝化效 应消失从 而达 到提高纯化速率 的 目的。所 研制的新型纯化 系统 能够 满足硅粒 自旋 、  
长沉降时间和重 复纯 化的条件 ， 所给 出的工艺参数 能满足鞘层宽 、 离子浓度高 的要求 。实验结 果显示这种新 的提 纯
方法可望用于太阳能级硅的制备。  
关 键 词 ： 太阳能级硅 ； 等离子体纯化 ； 粉粒表面刻蚀 ； 鞘 区离子动能
中图分类号 ： TN3 0 4   文献标识码 ： A