纵向温度梯度
请问各位大侠:纵向温度梯度分晶体、熔体、界面三个,请问各个纵向温度梯度都是通过什么来调节的?
另外,对于18“、20”、22“的热场来说,温度梯度有什么区别
谢谢各位大侠不吝赐教
这个问题有点高深!
1、晶体。主要由 热场固有温度梯度+上部炉室的散热+硅晶体本身散热(传导,辐射,直径等),决定,比如有炉子就加水冷套在晶体上方,就是逼着热散发出去,进而最终提高拉速。
2、界面。相对来说,熔体表面温度相对稳定在结晶点附近,界面的温度梯度主要又1中因素决定,思考一下吧。
3、熔体。相对来说,对流的存在是削减熔体温度梯度的,但是有晶转和埚转的存在,会一定程度改变对流状态,另外底部保温和熔体深度、埚位都会影响熔体温度梯度。 最主要的是界面的纵向温度梯度,一般通过计算固液生长界面以及界面向晶体内延伸5mm范围内的温度的变化,通常稳定在4k/mm左右比较合适。 气流、水温、拉速
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