关于多晶扩散工艺的低磷高温方案,对于炉内电池片方阻均匀性改善的问题?
企业最开初用的小N流量和其他气体流量均比较大,每炉生产400片;时常出现炉口部位硅片与其他部位硅片的方阻差异很大,如规定66方阻,炉尾炉中可能64~69,但是炉口确高达74;我们尝试过调解温度、抽风均没有实质效果。后将所有工艺步骤气体比例均降低一半,经过调解温度,可以生产500片,但是炉口部位方阻变化反而没有以往差异大,求各位专家的指导。 。。。。。。。。。。RT同求 扩散问题还是比较多的 看你用国产的还是进口的了,用tempress吧 等比例增加气体流量和减少气体流量分组比对。
页:
[1]