andarchan 发表于 2008-10-7 22:30:03

扩散工艺问题

请问：在扩散前，要对硅片进行一些检测，如他的方块电阻等。但是这次检测，还能检测哪些参数？ 请高手不吝赐教啊！！！！！

zhgdcumt 发表于 2008-10-18 09:59:54

个人理解：方块电阻是所谓薄层电阻，扩散前检测的不能称之为“方块电阻”！

yanyu 发表于 2008-10-18 14:14:13

目的：材料的电阻率，PN结质量

同时，侧面反映出扩散的质量（如PN结的结深，轮廓等）。但是，实际上是一个非常方便，但是也非常不精确的方法。所以，可以实用SRP来=真正测量结深等细节。当然，实用SIMS更好和更精确。另外，也可以做截面X-section，然后酸腐蚀，再在显微镜下观察。X-SEM技术比较好。对于工厂生产而言，测测电阻的稳定性就算了。

yanyu 发表于 2008-10-18 14:17:05

R sq 的测量要求

Rsq x 厚度就是我们常用的电阻率。特定地可以使用在薄片结构上，面积相对于厚度来讲是无穷大

solarpower 发表于 2011-3-22 16:05:20

还可以检测少子寿命。
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