hf1220 发表于 2011-5-29 07:09:55

想不通的扩散工艺-望指教

大家好，我是做光伏组件这块的，看了电池片生产的工艺，关于扩散这块请教以下几个问题：
1.P型半导体放在扩散炉中，通入POCL3,磷原子是从四面八方进入到P型半导体中，结果怎么会形成磷在一边，硼在一边的PN结。
2.怎么知道那面是p，那面是n
3.pn结多厚
4.156电池片后的0.22mm，PN结大概在哪个位置
因为不专业，问的问题可能比较可笑，希望大家不要介意，学习么

hf1220 发表于 2011-5-30 09:30:46

没有高人指点吗？

164zcl 发表于 2011-6-1 23:21:53

不懂啊，等待高人解答。

s83563472 发表于 2011-6-2 09:25:41

本帖最后由 s83563472 于 2011-6-2 09:31 编辑

现在常用的硅片是P型的，而扩散参杂杂质是N型杂质原子
实质上就是想办法使主杂质（P）型在半导体晶体内的一个区域中占有优势，而使施主杂质（N）型在半导体内的另外一个区域中占有优势，这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型和N型半导体的接触，这时半导体晶体内部就形成了PN结

研究僧 发表于 2011-6-3 08:43:39

就是说某一边B多 一边P多 不代表两者是绝对分开的
扩散到的一面就是N型 两面都扩散到了那两面都是N型 中间是P型
据说一般是小于0.5微米呢 NP交界处就是PN结

l279145258 发表于 2011-6-27 19:12:14

插。扩散时2片和一起的只有一面接触到反应。N面得方阻低在50左右。P面的在100左右

118003016 发表于 2011-6-29 01:59:15

回复 研究僧 的帖子

基本上对,后面还有刻蚀 去除背面PN结，防漏电。单面扩散刻蚀放反了，就OVER了

chengxinshijin 发表于 2011-7-9 22:08:07

1.一般是单面扩散，就是把两张片子背靠背放在一起，所以形成的是一边P一边B；
2.可以用冷热探针或PN结测试仪来检验那边是P那边是B,四探针或看外观也可以的；
3.PN结的深度得用专业仪器测量，一般厂家都做不了的，你可以去西安交大、清华大学的实验室测量，不过价钱都不低的。

zhaoff2005 发表于 2011-8-26 11:23:44

4.PN结的厚度还没绒面高。

zhaoff2005 发表于 2011-9-10 07:32:09

PN结一般在0.3至0.5微米。
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