等离子刻蚀中的重要参数
离子束刻蚀反应室14.5" SS 安装在左侧的立方体
离子枪12 cm DC 离子枪 (Veeco)，由直流电动机驱动SS快门的MPS 5001提供500 W 供电电源， 安装在反应室顶部。
真空计主反应室: WRG D NW 25, Baratron 型 626A 0.1 Torr
6” 工作台直径6.5" ，OFHC 铜 + 不锈钢水冷与0-90度旋转工作台组合（差动泵）
晶片装载/卸载手动
Cu的刻蚀速率@ 1000V/150ma20 nm/min
Si的刻蚀速率@ 1000V/150ma30 nm/min
刻蚀均匀性±5% （4“以上）
操作全自动化，处方驱动，电脑控制及互锁,实验室观看软件。
底面压力6 x10-7 Torr (2 天)5x 10-6 Torr < 20 分钟
MFCAr
压力调节Turbo Speed
隔离阀6” VAT 气动阀
RIE刻蚀系统
RIE反应室直径13” 铝制反应室，安装在右侧。
RF 工作台8“，阳极氧化，暗区保护。
工作台冷却水冷，无通过冷却剂到地面的直接通路。
气体分配喷淋头
真空计1Torr Baratron，和 BOC Edwards 宽频真空计。
底面压力6 x10-7Torr (2 天)~10-6 Torr < 20 分钟
MFCCHF3, CF4,O2, SF6
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