单晶硅抛光加工技术的研究
随着1C技术的进步，集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展，对硅片的直径要求越来越大，对硅片的加工质量要求也越来越高。本文介绍了单晶
硅结构、晶体生长制备、加工过程、目前硅单晶材料加工的发展现状、传统抛光加工
方法、国内的精抛加工设备及几种典型晶片材料抛光加工工艺的最新发展，
综述了几种典型抛光加工设备的特点，通过实验研究了单晶硅片的加工工艺方法
及工艺参数的影响，探讨了单晶片材料的抛光加工技术的新方法一液体喷射抛光。研
究结果表明，工艺参数和抛光液的组分、粒度、浓度及溶液的pH值等是影响硅片抛光
加工质量的重要因素，合适的工艺参数和抛光液能使工件的表面获得具有一定的平整
度、粗糙度的半导体硅抛光片，对单晶硅的加工做了有益的探索。
关键词:单晶硅性能参数抛光片的制备液体喷射抛光
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