shrlock1912 发表于 2010-12-6 19:38:52

硅片不合格现象对生产电池片工艺的影响?

比如穿孔、切痕、少子寿命、电阻率、应力、沾污、孪晶、氧化膜未磨到、微晶，这些分别对电池片生产工艺都有什么影响，具体分析。

shrlock1912 发表于 2010-12-7 21:05:59

没人知道吗？拜托一定要不吝赐教呀。

barton2004 发表于 2010-12-21 09:04:39

穿孔(低效片或废片)、切痕(VOC变小)、少子寿命(是一个宏观缺陷的参考值)、电阻率(影响RS)、应力(碎片率高或隐裂)、沾污(VOC小或低效片)、孪晶(低效片)、氧化膜未磨到(RS变小)、微晶(严重是低效片).
这些都是一些缺陷.

zhaoff2005 发表于 2011-8-27 12:52:00

3楼说的比较全面。
孪晶片要看孪晶的面积，直接单晶硅一般是一条孪晶线，对效率影响不大，但全观有影响。
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